Сотрудник подразделения

Галина Дмитриевна Шандыбина

доцент, кандидат физико-математических наук

Публикации

  1. 6Guk I.V., Shandybina G.D., Yakovlev E.B. Role of the Heat Accumulation Effect in the Multipulse Modes of the Femtosecond Laser Microstructuring of Silicon // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 694-698 [IF: 0.701, SJR: 0.497]
    подробнее >>
  2. 5Guk I.V., Shandybina G.D., Yakovlev E.B., Shamova A.A. Role of recombination processes during multipulse femtosecond microstructuring of silicon surface // Optical and Quantum Electronics - 2016, Vol. 48, No. 2, pp. 153 [IF: 1.29, SJR: 0.419]
    подробнее >>
  3. 4Гук И.В., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б. Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 706-710 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  4. 3Guk I., Shandybina G., Yakovlev E. Influence of accumulation effects on heating of silicon surface by femtosecond laser pulses // Applied Surface Science - 2015, Vol. 353, pp. 851-855 [IF: 3.15, SJR: 0.93]
    подробнее >>
  5. 2
    подробнее >>
  6. 1Гук И.В., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б., Головань Л.А. Вклад поляритонного механизма микроструктурирования поверхности кремния пикосекундными лазерными импульсами // Оптический журнал - 2014. - Т. 81. - № 5. - С. 62-67
    подробнее >>